HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT异质结电池相比于传统式晶硅技术工艺，考虑到非晶硅薄膜的构建，硅异质结太阳能电池的晶硅衬底前后表面进行了优良的钝化处理，以至于其表面钝化处理日趋健全完善。......

　　HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT异

　　HIT异质结电池的优点1．PG电子官方网应用范围广泛：大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT异质结电池都具有了不能缺失的重要作用。2．效率提升潜力高：HIT异质结电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低

　　HIT电池，俗称异质结电池，中文名称晶体硅异质结太阳能电池，该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。相比于传统式晶硅技术工艺，考虑到非晶硅薄膜的构建，硅异质结太阳能电池的晶硅衬底前后表面进行了优良的钝化处理，以至于

　　HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单

　　HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单

　　日前，国内首条高效异质结太阳电池生产线在湖北恩施自治州建始县开工建设。该项目是国家科技部、工信部重点支持的产业化项目，其产品将是国内转换效率最高的太阳电池，这一项目的实施也打破了日本在这一领域的技术垄断。 据介绍，由湖北永恒太阳能科技股份公司和上海中智光纤通讯有限公司投资建设的高效异质结太阳

　　降本增效始终是光伏行业永恒的主题，随着行业不断的技术进步和政策推动，大众的目光逐渐转移至度电成本上，高效电池因此备受瞩目。继PERC电池成为行业热点后，HIT电池技术初有突破，性价比优势开始显现，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。

　　OFweek产业研究院数据显示，在大规模量产方面，首屈一指的当然是日本三洋，现有产能1GW，量产效率达23%。除此之外，具有较成熟HIT技术的还有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晋能、新奥、汉能等企业。图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：%，MW）目前HIT产

　　HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。HIT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度低，可避免

　　HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。HIT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度低，可避免

　　HIT电池市场前景展望降本增效始终是光伏行业永恒的主题，随着行业不断的技术进步和政策推动，大众的目光逐渐转移至度电成本上，高效电池因此备受瞩目。继PERC电池成为行业热点后，HIT电池技术初有突破，性价比优势开始显现，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。

　　HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。HIT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度低，可避免

　　当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机

　　当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机

　　近日，中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池(2cm×2cm)。 异质结背接触(HIT-IBC)电池作为高端高效太阳能电池的一种，是国际上的研究热点，也是未来太阳能电池产业化的重要组成部分。目前国际上相关研究及产业化工作进展

　　“刀片电池”其实质仍是一种铁电池，它采用长电芯方案，通过增大电芯的长度（大于0.6米），将电芯扁长化设计，来进一步改进电池包集成效率。为什么取名为“刀片”？请看下图：比亚迪长期专注于磷酸铁锂电池的应用研究，但由于磷酸铁锂电池的能量密度低等原因，被三元锂电池取代，被挤出中高端乘用车主流市场，连比亚迪乘

　　太阳能光伏发电是推动“碳达峰，碳中和”的重要力量。以非晶硅和晶体硅（a-Si:H/c-Si）构建的异质结（SHJ）太阳能电池近年来不断取得进展。然而，SHJ电池中的a-Si:H薄膜会带来较严重的寄生光吸收，并且设备和工艺成本较高。采用宽带隙过渡金属氧化物（TMO）替代a-Si:H在减少寄生光吸收

　　近日，南开大学研究团队在太阳能光伏发电领域取得最新研究成果，成功实现“低铟无银”，在节约制造成本的基础上，让硅异质结（SHJ）太阳电池转换效率接近26%，这是目前已发表的“低铟”SHJ太阳电池研究中的最高效率。相关成果已发表在《自然—能源》。据了解，晶硅太阳电池在光伏市场中占据了95%以上的

　　近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结（SHJ）太阳电池的掺杂非晶硅（a-Si:H）薄膜中发现反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常效应是利用光注入提升SHJ太阳电池光电转换效率的物理本质。5月13日，相关研究成果

　　河南许昌学院表面微纳米材料研究所郑直课题组最近在新型异质结薄膜太阳能电池材料研发方面取得新进展。相关成果日前发表于英国皇家化学会主办的《道尔顿》杂志。据了解，传统的单晶硅太阳能电池虽然具有较高的稳定性和光电转化效率，但随着能源和环境两方面问题的日益突出，其生产和应用受到挑战。一个重要原因是p

　　特点：P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。是早期的半导体激光器，目前已不采用此类结构。

　　1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半

　　太阳能光伏发电是推动“碳达峰，碳中和”的重要力量。以非晶硅和晶体硅（a-Si:H/c-Si）构建的异质结（SHJ）太阳能电池近年来不断取得进展。然而，SHJ电池中的a-Si:H薄膜会带来较严重的寄生光吸收，并且设备和工艺成本较高。采用宽带隙过渡金属氧化物（TMO）替代a-Si:H在减少寄生光吸收

　　目前，传统硅基太阳能电池依然占据主流光伏市场，然而，限制硅基光伏产业发展的主要因素是其生产成本偏高、制备过程繁琐。所以发展高效率、低成本、大面积和适合大规模生产的太阳能电池已迫在眉睫。宏观碳纳米管薄膜具有良好的力学、电学、光学等性质，而且是柔性的。通过调节生长参数，可以获得高透光率（可达95%）

　　锂金属电池是利用金属锂作为负极的电池，与其相搭配的正极材料可以是氧气、单质硫、金属氧化物等物质；锂离子电池不含有金属态的锂，并且是可以充电的。

　　氢氧燃料电池是以氧气作为氧化剂，以氢气作为燃料，然后通过燃料的各种化学反应，进而将产生的化学能转化为电能有一种电池。

　　随着低碳能源成为世界发展的大趋势，为减缓温室效应，未来15年预计将需要多达10TW的太阳能电力，为当前光伏装机量的约50倍。为了探索经济和环境可持续的方式满足上述巨量需求，光伏科学界与工业界近年来致力于低成本器件制造工艺、高转换效率太阳电池技术的研发。硅基杂化异质结太阳电池主要由单晶硅吸收层和载